Полевые транзисторы с изолированным затвором (моп транзисторы) обогащенного типа

МОП транзисторы обедненного типа являются открытыми в нормальном состоянии. Это означает, что они имеют заметный ток стока при напряжении затвор-исток равном нулю. Это полезно во многих приложениях. Но также полезно иметь устройство, которое в нормальном состоянии закрыто; то есть устройство, проводящее ток только тогда, когда приложено напряжение (Ези) соответствующей величины. На рисунке 

 

МОП транзистор обогащенного типа с р-каналом

изображен МОП транзистор, работающий как устройство, закрытое в нормальном состоянии. Он подобен МОП транзистору обедненного типа, но не имеет проводящего канала. Вместо этого в подложку внедрены раздельные области стока и истока. На рисунке показана подложка п-типа и области стока и истока р-типа. Может быть также использована и обратная конфигурация. Расположение выводов такое же, как и у МОП транзистора обедненного типа.

МОП транзистор с р- каналом обогащенного типа должен быть смещен таким образом, чтобы на стоке был отрицательный потенциал по отношению к истоку. Когда к транзистору приложено только напряжение сток-исток (Еси), ток стока отсутствует. Это обусловлено отсутствием проводящего канала между истоком и стоком. Когда на затвор подается отрицательный потенциал по отношению к истоку, дырки направляются к затвору, где они создают канал р-типа, позволяющий протекать току от стока к истоку. При увеличении отрицательного напряжения на затворе размер канала увеличивается, что позволяет увеличиться и току стока. Увеличение напряжения на затворе позволяет увеличить ток стока.

Потенциал затвора МОП транзистора с р- каналом обогащенного типа может быть сделан положительным по отношению к истоку, и это не повлияет на работу транзистора. Ток стока в нормальном состоянии равен нулю и не может быть уменьшен подачей положительного потенциала на затвор. Схематическое обозначение МОП транзистора с р- каналом обогащенного типа

 

Схематическое обозначение МОП транзистора обогащенного типа с р-каналом

 

Оно аналогично обозначению МОП транзистора с р- каналом обедненного типа, за исключением того, что области истока, стока и подложки разделены пунктирной линией. Это показывает, что транзистор в нормальном состоянии закрыт. Стрелка, направленная от подложки, обозначает канал р-типа.

МОП транзистор с р-каналом обогащенного типа с правильно поданным напряжением смещения

Правильно смещенный МОП транзистор обогащенного типа с р-каналом

 Заметим, что Еси делает сток МОП транзистора отрицательным по отношению к истоку. Еди также делает затвор отрицательным по отношению к истоку. При увеличении Ези и подаче на затвор отрицательного потенциала, появляется заметный ток стока. Подложка обычно соединяется с истоком, но в отдельных случаях подложка и исток могут иметь различные потенциалы.

МОП транзисторы могут быть изготовлены с п-каналом обогащенного типа. Эти устройства работают с положительным напряжением на затворе так, что электроны притягиваются по направлению к затвору и образуют канал п-типа. В остальном они работают так же, как и устройства с каналом р-типа.

Схематическое обозначение МОП транзистора с п-каналом обогащенного типа

Схематическое обозначение МОП транзистора обогащенного типа с п-каналом

Оно аналогично обозначению устройства с р- каналом за исключением того, что стрелка направлена к подложке, обозначая канал n- типа. Правильно смещенный МОП транзистор с n- каналом обогащенного типа

Правильно смещенный МОП транзистор обогащенного типа с n-каналом.

МОП транзисторы с изолированным затвором обычно симметричны, как и полевые транзисторы с р-п-переходом. Следовательно, сток и исток можно поменять местами.

Рейтинг: 0 / Голосов: 1